案例 · 2026-06-10

先進封裝 Bump 檢測:3D AI-AOI 微米級查缺失與橋連

3D AI-AOI 以高度信息判 bump 缺失/橋連

返回洞察

微凸點陣列密集且尺度極小,2D 灰度圖易把镀層反光誤讀為橋連、把高度不足漏判為正常。

μm高度檢測精度
3D形貌判定維度
缺失/橋連檢出

該先進封裝廠的微凸點 bump 間距已進入微米級,陣列密集。Bump 缺失、橋連(相邻凸點連成一體)、高度不足等缺陷直接決定後續互連可靠性。僅憑 2D 灰度圖像,镀層反光常被誤判為橋連,而高度塌陷的 bump 在俯視下與正常 bump 幾乎無差別,漏判風險高。

這類缺陷一旦流出,在芯片堆疊鍵合後才暴露,返工成本成倍放大。傳統 2D AOI 為壓低漏判只能調嚴閾值,又把過杀推高,陷入兩難。

DaoAI 產品方案

DaoAI 部署 3D AI-AOI 檢測設備,以微米級三維形貌數據直接還原每個 bump 的高度與體積:缺失處高度归零,橋連處相邻凸點輪廓粘連,高度不足則低于設定基準,均可在三維數據上明確判定,不再依賴易受反光幹擾的灰度。AI-ADC 對檢出缺陷進一步分類,稀有形態以 APDT 正樣本學習補充。

  • 3D AI-AOI 采集微米級高度,直接判 bump 缺失與橋連
  • 以三維形貌替代 2D 灰度,規避镀層反光誤報
  • 高度不足、共面性異常一並量化輸出
  • AI-ADC 分類缺陷,稀有形態用 APDT 正樣本學習補足

用高度而非灰度判 bump,缺失和橋連從「看像不像」變成「量得準不準」。

上線後,bump 缺失與橋連的檢出率顯著提升,因镀層反光導致的誤報大幅下降,過杀與漏判的兩難被三維量化打破。缺陷在 bump 工序即被拦截,避免流入芯片堆疊後才暴露,返工損失明顯收窄。

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